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三菱igbt模塊的性能特點介紹

日期:2025-06-02 00:25
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摘要:
三菱igbt模塊的性能特點:

    三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術:低飽和壓降Vce(sat), 低開關損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。

    ΔT(j-f)性能優(yōu)于歐洲的同類溝槽型IGBT模塊

    采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f),通過采用氮化鋁AlN絕緣層實現(xiàn)優(yōu)良的熱阻特性

    成本優(yōu)化的封裝,低阻抗封裝(A系列1單元除外)

    飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小

    比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%,在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%

    內置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層,通過調整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來改善溫度循環(huán)能力Δ Tc (焊接層疲勞),熱阻小

    模塊內部寄生電感小,減小柵極電容:柵極驅動功率近似于平面型IGBTs

    功率循環(huán)能力顯著改善,采用新的導線焊接工藝大大提高功率循環(huán)能力ΔTj (導線連接疲勞).

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