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IGBT模塊發(fā)熱的原因分析

日期:2025-06-05 14:50
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摘要: 由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過程要產(chǎn)生功率損耗即內(nèi)損耗,內(nèi)損耗引起發(fā)熱,溫度上升,IGBT溫度高低與器件內(nèi)損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結(jié)構(gòu)、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當(dāng)發(fā)熱和散熱相等時,器件達(dá)到穩(wěn)定溫升,處于均衡狀態(tài),即穩(wěn)態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩(wěn)態(tài),還是在瞬態(tài),都不允許超過器件允許工作溫度,即IGBT結(jié)溫,否則,將引起器件電或熱的不穩(wěn)定而導(dǎo)致器件失效。 IGBT模塊發(fā)熱,效率低解決方法 1、減小柵極電阻,可加快開關(guān)器件通斷,減小開關(guān)損耗從而降低溫度,但不要太...
 
     由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過程要產(chǎn)生功率損耗即內(nèi)損耗,內(nèi)損耗引起發(fā)熱,溫度上升,IGBT溫度高低與器件內(nèi)損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結(jié)構(gòu)、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當(dāng)發(fā)熱和散熱相等時,器件達(dá)到穩(wěn)定溫升,處于均衡狀態(tài),即穩(wěn)態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩(wěn)態(tài),還是在瞬態(tài),都不允許超過器件允許工作溫度,即IGBT結(jié)溫,否則,將引起器件電或熱的不穩(wěn)定而導(dǎo)致器件失效。
       IGBT模塊發(fā)熱,效率低解決方法
       1、減小柵極電阻,可加快開關(guān)器件通斷,減小開關(guān)損耗從而降低溫度,但不要太小 具體需要調(diào)試
       2、加適當(dāng)阻容吸收電路
       3、檢查硅膠涂抹、即散熱片、風(fēng)扇等問題。



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